Mémoire sans plomb IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP de CY62256NLL-70PXC

Description

Le CY62256N est une haute performance CMOS MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots 32K par 8 bits. L'ajout de mémoire facile est fourni par une BASSE puce active permettent (le CE) et la BASSE sortie active permettent (OE) et les conducteurs de trois états. Ce dispositif a une caractéristique automatique de puissance-vers le bas, réduisant la puissance par 99,9 pour cent une fois ne pas sélectionner.
Un BAS actif écrire permettent le signal (NOUS) commande l'écriture/opération "lecture" de la mémoire. Quand le CE et NOUS entre sont les deux BAS, données sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données (I/O0 par I/O7) sont écrits dans l'emplacement de mémoire adressé par le présent d'adresse sur les goupilles d'adresse (A0 par A14).
La lecture du dispositif est accomplie en choisissant le dispositif et en permettant les sorties, le CE et le BAS actif d'OE, alors que NOUS reste inactif ou HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par l'information sur des goupilles d'adresse est présent sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données.
Les goupilles d'entrée-sortie restent dans un état à grande impédance à moins que la puce soit choisie, des sorties sont permises, et écrivent permettent (NOUS) est HAUTE.

Pin Configuration

Schéma fonctionnel de logique de CY62256NLL-70PXC

CY62256NLL-70PXC comporte

■Températures ambiantes
Message publicitaire de ❐ : 0 °C au °C +70
❐ industriel : – °C 40 au °C +85
❐ des véhicules à moteur-Un : – °C 40 au °C +85
❐ des véhicules à moteur-e : – °C 40 au °C +125
■Grande vitesse : 55 NS
■Chaîne de tension : 4,5 opération de V à de 5,5 V
■Basse puissance active
❐ 275 mW (maximum)
■Basse alimentation générale (version de LL)
❐ 82,5 mW (maximum)
■Ajout de mémoire facile avec des configurations de la CE et d'OE
■entrées et sorties TTL-compatibles
■Puissance-vers le bas automatique une fois ne pas sélectionner
■CMOS pour la vitesse et la puissance optimas
■Disponible dans la goupille sans Pb 28 et non sans Pb (600-mil) PDIP,
goupille 28 (300-mil) SOIC étroit, 28 goupille TSOP I, et goupille 28
paquets inverses de TSOP I

Estimations maximum de CY62256NLL-70PXC

Le dépassement des estimations maximum peut altérer la vie utile du dispositif. Ces directives d'utilisateur ne sont pas examinées.
Température de stockage ................................ – 65℃ à +150℃
Température ambiante avec .......................................... – 55℃ appliqué par puissance à +125℃
Tension d'alimentation au potentiel au sol (borne 28 pour borne 14) ..................................... – 0,5 V à +7,0 V
La tension CC s'est appliquée aux sorties dans l'état élevé de Z ................................ -0,5 V à VCC + 0,5 V
Tension d'entrée de C.C ............................. – 0,5 V à VCC + 0,5 V

Fiche technique

Vous pouvez télécharger la fiche technique le lien donné ci-dessous.

                                       Fiche technique de CY62256NLL-70PXC