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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | MMBT3904LT1G |
Fiche technique de MMBT3904LT1G
Le MMBT3904LT1G est un transistor bipolaire de silicium polyvalent de NPN avec des capacités linéaires et commutantes. Il vient dans le paquet SOT-23, qui est prévu pour des applications extérieures de basse puissance de bâti. Le MMBT3904LT1G peut être utilisé dans des circuits qui exigent la densité à forte intensité et un grand choix de tension. La tension maximum d'émetteur-base du MMBT3904LT1G est 6 V. Elle peut absorber jusqu'à 300 mW de puissance.
Type de paquet : SOT−23 (TO−236)
Type de transistor : NPN
Max Collector Current (IC) : 200 mA
Max Collector-Emitter Voltage (VCEO) : 40 V
Max Collector-Base Voltage (VCBO) : 60 V
Max Emitter-Base Voltage (VEBO) : 6 V
Max Power Dissipation (palladium) : 300 mW
Max Transition Frequency (pi) : 300 mégahertz
Gain actuel de C.C (hFE) : 100 - 300
Stockage et température de fonctionnement : -55 à +150 centigrades
Commutation d'usage universel
Traitement des signaux
Industriel
Des véhicules à moteur
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | SUR le semi-conducteur |
| Catégorie de produit | Transistors (BJT) - simple |
| Fabricant | SUR le semi-conducteur |
| Produit-catégorie | Transistors bipolaires - BJT |
| RoHS | Détails |
| Marque | SUR le semi-conducteur |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | SOT-23-3 |
| Transistor-polarité | NPN |
| Configuration | Simple |
| Collecteur-Émetteur-Tension-VCEO-maximum | 40 V |
| Collecteur-Base-tension-VCBO | 60 V |
| Émetteur-Base-tension-VEBO | 6 V |
| Collecteur-Émetteur-Saturation-tension | 0,3 V |
| Maximum-C.C-collecteur-actuel | 0,2 A |
| Gain-Largeur de bande-Produit-pi | 300 mégahertz |
| La Maximum-Actionner-température | + 150 C |
| Série | MMBT3904L |
| Continu-Collecteur-actuel | 0,2 A |
| C.C-Collecteur-Base-Gain-hfe-minute | 100 |
| La Minimum-Actionner-température | - 55 C |
| Emballage | Bobine |
| Palladium-Puissance-dissipation | 225 mW |
| Unité-poids | 0,050717 onces |
| Fabricant Part # | Description |
Fabricant |
Comparez |
| BSR17A | Amplificateur d'usage universel de NPN, 3000-REEL | SUR le semi-conducteur | MMBT3904LT1G contre BSR17A |
| MMBT3906LT3G | Transistor bipolaire de PNP, 3 AVANCE SOT-23 (TO-236), 10000-REEL | SUR le semi-conducteur | MMBT3904LT1G contre MMBT3906LT3G |
| MMBT3904 | Transistor bipolaire de petit signal, 0.2A I (C), Président de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicium, TO-236, ROHS CONFORME, PACKAGE-3 EN PLASTIQUE | Semi-conducteur AG de Diotec | MMBT3904LT1G contre MMBT3904 |
| MMBT3906LT1 | Transistor bipolaire de petit signal, 0.2A I (C), PNP, | SynSemi Inc | MMBT3904LT1G contre MMBT3906LT1 |
| MMBT3904-7-F | Transistor bipolaire de petit signal, 0.2A I (C), Président de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicium, VERT, PACKAGE-3 EN PLASTIQUE | Diodes incorporées | MMBT3904LT1G contre MMBT3904-7-F |
| MMBT3904-TP | Transistor bipolaire de petit signal, 0.2A I (C), Président de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicium, ROHS CONFORME, PACKAGE-3 EN PLASTIQUE | Composants commerciaux micro | MMBT3904LT1G contre MMBT3904-TP |
| MMBT3904LT3G | Transistor bipolaire de NPN, 3 AVANCE SOT-23 (TO-236), 10000-REEL | SUR le semi-conducteur | MMBT3904LT1G contre MMBT3904LT3G |
| MMBT3906LT1G | Transistor bipolaire de PNP, 3 AVANCE SOT-23 (TO-236), 3000-REEL | SUR le semi-conducteur | MMBT3904LT1G contre MMBT3906LT1G |
| MMBT3904,215 | MMBT3904 - transistor de commutation de NPN TO-236 3-Pin | Nexperia | MMBT3904LT1G contre MMBT3904,215 |
| SST3904T116 | Transistor bipolaire de petit signal, 0.2A I (C), Président de 40V V (BR), 1-Element, NPN, silicium, SST3, PIN 3 | Semi-conducteur de ROHM | MMBT3904LT1G contre SST3904T116 |
Un transistor de NPN est le transistor à jonction bipolaire le plus utilisé généralement et est construit en serrant un semi-conducteur de type p entre deux semi-conducteurs de type n. Un transistor de NPN a trois terminaux - un collecteur, un émetteur, et une base. Le transistor de NPN se comporte comme deux diodes à jonction de PN reliées de nouveau au dos.
Le MMBT3904LT1G est un transistor bipolaire de silicium de NPN conçu pour l'usage dans le bâti de surface de puissance faible linéaire et et les applications de changement.
Supports de “G” pour “vert”. Le transistor de MMBT3904LT1G est la version sans plomb du MMBT3904LT1.
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