Les coupleurs optiques de sortie de la logique FOD3120 ÉBRUITENT HAUT L'IMMUNITÉ 2.5A ONT PRODUIT

                                                                  Fiche technique FOD3120

Détails de produit

Description

Le FOD3120 est un coupleur optique d'entraînement de porte de courant de sortie 2.5A, capable de conduire les la plupart 1200V/20A IGBT/MOSFET. Il approprié idéalement à l'entraînement rapide de commutation de la puissance IGBT et des transistors MOSFET utilisés dans des applications d'inverseur de contrôle de moteur, et au système d'alimentation de haute performance.

Il utilise la technologie du conditionnement coplanaire des onsemi, l'OPTOPLANAR®, et la conception optimisée d'IC pour réaliser l'immunité de bruit élevée, caractérisée par rejet de mode commun élevé.

Il se compose d'une diode électroluminescente en aluminium d'arséniure de gallium (AlGaAs) optiquement couplée à un circuit intégré avec un conducteur high−speed pour l'étape de sortie de transistor MOSFET de push−pull.

Caractéristiques

■L'immunité de bruit élevée a caractérisé par rejet de mode 35kV/µs commun minimum
■capacité actuelle d'entraînement de la production maximale 2.5A pour la plupart des 1200V/20A IGBT
■L'utilisation des transistors MOSFET de P-canal à l'étape de sortie permet l'oscillation de tension de sortie près du rail d'approvisionnement
■Grand choix de tension d'alimentation de 15V à 30V
■Vitesse de changement rapide
– retard de propagation 400ns maximal
– déformation maximale de durée de l'impulsion 100ns
■Sous le lock-out de tension (UVLO) avec l'hystérésis
■Gamme tempérée industrielle développée, -40°C à la température ambiante 100°C
■Sécurité et approuvé de réglementation
– UL1577, 5000 VRMSfor 1 mn.
– IEC60747-5-2
■Le RDS (DESSUS) de 1Ω (type.) offre la dissipation de puissance faible
■>dégagement de 8.0mm et ligne de fuite (option “T” ou “SOLIDES TOTAUX ")
■tension fonctionnante d'isolation de la crête 1,414V (VIORM)

Applications

■Inverseur industriel
■Alimentation d'énergie non interruptible
■Chauffage par induction
■Commande d'isolement de porte de transistor MOSFET d'IGBT/Power

Caractéristiques

Forme, paquet, composant compatible fonctionnel

Descriptions

Qui sommes-nous ?

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